你對第三代半導體明星材料“氮化鎵”了解多少
來源：立深鑫電子????????發布時間：12-31????????點擊：
摘要 : 氮化鎵材料的應用是目前半導體研究的前沿與熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。
手機能夠給人們帶來生活與工作的便利，但電量卻越來越不夠用了，每天一充甚至每日多充的問題困擾著人們?？v觀行業的發展史我們能夠觀察到手機電池的容量也在隨著行業發展不斷地增加。
隨著手機電池容量增大，充電速度也相應變慢，想要解決手機電量問題，有線快充的技術發展就成為了那一根救命稻草，用最短的時間，充最多的電量。
近兩年我們時常能夠聽到一個名詞，那就是“氮化鎵”。
什么是氮化鎵
氮化鎵（gallium nitride）是一種無機物，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。此化合物結構類似纖鋅礦，硬度很高。
氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產生紫光（405nm）激光。
關于氮化鎵
GaN材料的應用是目前半導體研究的前沿與熱點，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導體材料、第二代GaAs、InP化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。
它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩定性好（幾乎不被任何酸腐蝕）等性質和強的抗輻照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。
氮化鎵的前景
半導體作為科技發展的核心之一，自然是各國發展科技的重中之重?！吨袊圃?025》是國務院于2015年印發的部署全面推進實施制造強國的戰略文件，也是我國實施制造強國戰略的第一個十年的行動綱領。
其中就多次提及到了以氮化鎵為代表的第三代半導體功率器件。在未來，氮化鎵這種新型半導體材料會不斷的擴充應用范圍，也是趨勢所在。
